Catálogo Biblioteca Central UCSM

Circuitos Integrados Ii Fundamentos e Introducción de Diseño Analógico (Registro nro. 63367)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 00619nam a2200193Ia 4500
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control OSt
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20181023043908.0
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 24419b pe ||||| |||| 00| 0 spa d
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro/agencia transcriptor Transcribing agency
082 ## - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY
Número de clasificación 621.3815.ESCA.02
100 ## - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Escaño Quero, Rafael
100 ## - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Término indicativo de función/relación Autor
245 #0 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Circuitos Integrados Ii Fundamentos e Introducción de Diseño Analógico
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición 1A. ed
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Lugar de publicación, distribución, etc. ESPAÑA
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Nombre del editor, distribuidor, etc. UMA
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Fecha de publicación, distribución, etc. 2022
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 321
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Dimensiones 24.0
505 ## - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Tema 1. Procesos y Tecnologías de Fabricación<br/>. -- 1. Procesos Tecnológicos en el Silicio<br/>. -- 1.1. Introducción<br/>. -- 1.2. Óxido de Silicio<br/>. -- 1.2.1. Oxidación Termal<br/>. -- 1.2.2. Óxido Cvd<br/>. -- 1.3. Otras Deposiciones Químicas<br/>. -- 1.4. Crecimiento Epitaxial del Si<br/>. -- 1.5. Deposiciones de Capas por Procesos Físicos<br/>. -- 1.5.1. Difusión de Impurezas<br/>. -- 1.5.2. Implantación Iónica<br/>. -- 1.5.3. Pulverización (Sputtering)<br/>. -- 1.5.4. Metalización<br/>. -- 1.5.5. Otras Técnicas a Considerar<br/>. -- 1.6. Litografía<br/>. -- 1.6.1. Transferencia Básica del Patrón<br/>. -- 1.7. Grabado (Etching)<br/>. -- 1.7.1. Grabado Químico<br/>. -- 1.7.2. Grabajo por Plasma<br/>. -- 2. Tecnologías de Fabricación de C.L.S con Silicio<br/>. -- 2.1. Aislamiento<br/>. -- 2.1.1. Aislamiento por Óxido de Campo<br/>. -- 2.1.2. Aislamiento por Locos<br/>. -- 2.1.3. Aislamiento por Trincheras<br/>. -- 2.2. Tecnologías Cmos<br/>. -- 2.2.1. Tecnologías Cmos N-Well<br/>. -- 2.2.2. Efecto Latchup<br/>. -- 2.2.3. Tecnología Cmos Twin-Tub<br/>. -- 2.2.4. Tecnología Cmos Soi<br/>. -- 2.2.5. Mejoras en la Tecnología Cmos<br/>. -- 2.3. Reglas de Diseño en Layout<br/>. -- 2.3.1. Representación de Capas<br/>. -- 2.3.2. Reglas Cmos N-Well o Twin-Tub<br/>. -- 2.3.3. Reglas del Transistor<br/>. -- 2.3.4. Reglas de Contacto<br/>. -- 2.3.5. Anillos de Guarda<br/>. -- 2.3.6. Reglas de Metal<br/>. -- 2.3.7. Reglas de Vía<br/>. -- 2.3.8. Pasivación u Overglass<br/>. -- 2.3.9. Línea de Ensamblado<br/>. -- 3. Herramientas Cad de Chequeo y Extracción<br/>. -- 3.1. Drc 3.2. Extracción del Circuito Anexo1. Nuevas Tecnologíass A1.1. Tecnología 3D A1.2. Avances Litográficos A1.3. Grafeno A1.3.1. Introducción A1.3.2. Aplicaciones en Electrónica A1.3.3. Concepto Básico de un Transistor de Grafeno A1.4. Molibdenita Bibliografía 1 Tema 2. Conceptos y Elementos de Dispositivos Analógicos 1. Modelado de los Circuitos Cmos 1.1. Tecnología Cmos 1.2. Tensión Umbral Cmos 1.3. Características I-V 1.4. Circuitos Equivalentes Mos 1.4.1. Circuito Equivalente para Gran Señal 1.4.2. Circuito Equivalente para Pequeña Señal 1.5. Ruido Mos 1.5.1. Tipos de Ruido en Mos 2. Layout de los Transistores 3. Resistencias Integradas 3.1. Exactitud de las Resistencias Integradas 3.2. Layout de una Resistencia Integrada 4. Condensadores Integrados 4.1. Precisión de los Condensadores Integrados 4.2. Layout de Condensadores Integrados 5. Inductores 6. Parásitos en las Interconexiones 6.1. Capacidades Parásitas en Interconexiones 6.2. Resistencias Parásitas en Interconexiones 6.2.1. Efecto de Caída de Tensión Óhmica 6.2.2. Efecto de Electroemigración 6.2.3. Efecto Pelicular 6.3. Inductancias Parásitas en Interconexiones 6.4. Líneas de Transmisión 6.4.1. Línea de Transmisión Sin Perdidas 6.4.2. Línea de Transmisión con Perdidas 7. Conmutadores Analógicos 7.1. Inyección de Cargas 7.2. Compensación a la Inyección de Cargas 7.3. Layout de los Conmutadores Bibliografía 2 Tema 3. Bloques Básicos Analógicos 1. Resistencias Activas 1.1. Resistor Ac 1.2. Pares de Transistores Idénticos 1.3. Pares de Transistores No-Idénticos 2. Fuentes y Sumideros de Corriente 3. Espejo y Amplificador de Corriente 3.1. Espejo de Corriente Básico 3.2. Espejo de Corriente de Wilson<br/>. -- 3.3. Espejo de Corriente Cascode 4. Corrientes y Tensiones de Referencia 4.1. Circuitos Básicos de Tensión de Referencia 4.1.1. con Estructura Cmos de Dos Transistores 4.1.2. con Estructura de Más Transistores 4.2. Circuitos Básicos de Corriente de Referencia 4.2.1. Dimensionado de los Transistores 4.3. Tensión y Corriente de Referencia Precisa 4.3.1. Circuito de Autoarranque 4.4. Generador de Tensión y Corriente de Referencia Basado en V Bibliografía 3 Tema 4. Fundamentos de Amplificadores Cmos 1. Amplificador Inversor 1.1. Introducción 1.1.1. Amplificador de una Etapa de Fuente Común con Carga Resistiva 1.1.2. Amplificador de una Etapa de Fuente Común con Carga Mos 1.1.3. Amplificador de una Etapa de Fuente Común con Carga Pmos 1.1.4. Amplificador de una Etapa de Fuente Común con Carga Activa 1.1.5. Amplificador de una Etapa de Fuente Común Degenerada 1.1.6. Amplificador de una Etapa de Puerta Común 1.2. Otras Etapas Amplificadoras Inversoras Cmos con Carga Activa 1.2.1. Diseño de un Amplificador Inversor Cmos con Carga Activa 1.2.2. Amplificador Cmos con Terminal Puerta Común 1.3. Otras Configuraciones de una Etapa Cmos Cascode 2. Amplificadores Diferenciales 2.1. Introducción 2.2. Amplificadores Diferenciales Mos con Cargas Resistivas 2.2.1. Introducción 2.2.2. Amplificador Diferencial Degenerado con Cargas Resistivas 2.2.3. Respuesta del Amplificador Diferencial en Modo Común 2.3. Amplificador Diferencial Mos con Cargas Activa 2.3.1. Par Diferencial con Cargas Nmos Enriquecido 2.3.2. con Cargas Activas Mediante Fuentes de Corriente 2.3.3. con Cargas Activas Mediante Espejo de Corriente 2.4. Rango de Tensión en Modo Común 2.4.1. Rango de Balanceo de la Entrada 2.4.2. Rango de Balanceo de la Salida 2.4.3. Comportamiento a Frecuencias Altas 3. Amplificadores Operacionales 3.1. Introducción 3.2. Características de los Aos 3.2. Arquitectura Básica 3.4. Amplificador Operacional de Dos Etapas 4. Layout de los Aos 4.1. Efectos Parásitos 4.2. Técnicas de Mejoras a Nivel Físico Bibliografía 4 Bibliografía General
650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada HARDWARE (SOPORTE FÍSICO DEL ORDENADOR)
650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada INGENIERÍA ELECTRÓNICA
700 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Escaño Quero, Rafael
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Libros
Fuente del sistema de clasificación o colocación Dewey Decimal Classification
Existencias
Estado de retiro Estado de pérdida Estado dañado No para préstamo Código de colección Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Coste, precio normal de compra Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Número de copia Coste, precio de reemplazo Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
        BIBCE-CSING (Biblioteca Central - 1er piso) Biblioteca Central Biblioteca Central   19/04/2024 0.00   621.3815.ESCA.02 73360 19/04/2024 1e. 0.00 19/04/2024 Libros